通过解决这一世界难题，干将工彭练矛团队作为主角正式迈入了碳基芯片研究的国际舞台。

2005年，胡志混合Intel先进器件研究组发表的一篇文章指出，他们发现采用传统的半导体掺杂工艺无法制备出性能超越硅基CMOS的碳纳米管器件。

2006年，利掌Intel公开宣布放弃碳纳米管方案。

彭练矛告诉记者，优质由于了解到采用传统掺杂方式无法制备出超越硅基技术的集成电路，他所在的团队很早就开始探索无掺杂技术。

2007年，精选该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破，精选2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平，其器件性能接近理论极限，综合指标超越了硅基器件的十余倍。

到了2020年，开放该团队在规模用高性能碳纳米管集成电路用材料的研究过程中再次取得了重要突破，开放首次达到大规模碳基集成电路用碳纳米管阵列所需的纯度和密度，并采用这种材料首先实现了性能超越硅基集成电路，电路的频率超过了8GHz，比之前世界上最好的、由IBM团队2017年创造的280MHz的频率提升了几十倍。

(责任编辑：激光笔DC)

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